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- 題 名:
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- 卷 期:
2022:3 2022.09[民111.09]
- 頁 次:
頁21-31
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
50:1 2022.01[民111.01]
- 頁 次:
頁228-231
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
20:3 2022.05[民111.05]
- 頁 次:
頁15-28
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題 名:
Fabrication and Characterization of Ga₂O₃ Deep UV Photodetector by MOCVD:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
35:1 2022.03[民111.03]
- 頁 次:
頁39
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題 名:
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題 名:
氮化鎵射頻元件技術發展現況:A Survey on Technological Development of RF GaN Device
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
50:4 2022.10[民111.10]
- 頁 次:
頁152-161
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題 名:
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題 名:
氮化鎵功率電子元件技術發展現況:A Survey on Technological Development of GaN Power Device
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
50:2 2022.04[民111.04]
- 頁 次:
頁163-172
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題 名:
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- 題 名:
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- 書刊名:
- 卷 期:
20:6 2022.11[民111.11]
- 頁 次:
頁13-19