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利用單分子層摻雜技術並結合微波和CO₂雷射退火製作摻雜層小於5奈米的多晶矽無接面電晶體:Poly Si Junctionless Transistors with Sub-5nm Conformally Doped Layers by Molecular Monolayer Doping and Microwave Incorporating CO₂ Laser Annealing
宋柏融 卓大鈞 薛富國 侯福居 黃文賢 楊智超 李耀仁 吳文發
奈米通訊
23:1 2016.03[民105.03]
頁33-36
TCI引用統計