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利用內摻雜磷及雷射熱退火技術達成高電子濃度及低接觸電阻的矽上鍺薄膜:High Electrically Active Phosphorus Concentration and Low Contact Resistance of Ge on Si by In-situ Doping and Laser Annealing
呂芳諒 黃仕賢 劉致為
奈米通訊
22:3 2015.09[民104.09]
頁2-7
TCI引用統計