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以熱裂解化學沉積法成長碳化矽磊晶薄膜其成長參數與特性之研究:The Study on the Growth Parameters and Characterization of SiC Thin Film Deposited by Thermal CVD Method
李清源 蔡藎芝 張慈 廖笙佑 任樹森 林玉時 張翼 Lee, Ching-yuan; Tsay, Jinn-jy; Chang, Tsu; Liao, Sheng-yu; Lin, Yu-shih; Jen, Shuh-sen; Chang, Edward Yi;
新新季刊
43:4 2015.10[民104.10]
頁200-207
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