刊名
類目
出版年
資料類型
檢索結果筆數(1)。 各著作權人授權國家圖書館,敬請洽詢 nclper@ncl.edu.tw
在搜尋的結果範圍內查詢:
全部
排序
每頁顯示
1
Model and Performance for Nanometer MOSFET Device and Current Mirror Circuit Considering Random Dopant Fluctuation:
Lü, Wei-feng; Wang, Guang-yi; Lin, Mi; Sun, Ling-ling;
International Journal of Electrical Engineering
22:6 2015.12[民104.12]
頁209-213
TCI引用統計