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以石墨烯氧化物為介面緩衝層改善二氧化鈦電阻式記憶體元件之阻態切換特性:Improvement of Resistive Switching Characteristic of Titanium Oxide Random Access Memory Using Graphene Oxide as an Interface Buffer Layer
陳柏君 蘇清源 邱于建 巫勇賢 Chen, Po-chun; Su, Ching-yuan; Chiu, Yu-chien; Wu, Yung-hsien;
真空科技
28:2 2015.06[民104.06]
頁29-35
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