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龐磁電容及負電容效應之鍺場效電晶體驗證:The Demonstration of Colossal Magneto-capacitance and "Negative" Capacitance Effect with the Promising Characteristics of Jg-EOT and Transistor's Performance on Ge (100) n-FETs by the Novel Magnetic Gate Stack Scheme Design
陳品光 連慶 葉佳翰 廖洺漢
奈米通訊
22:1 2015.03[民104.03]
頁2-7
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