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檢索結果筆數(5)。 各著作權人授權國家圖書館,敬請洽詢 nclper@ncl.edu.tw
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- 題 名:
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- 書刊名:
- 卷 期:
22:7=256 2014.07[民103.07]
- 頁 次:
頁58-67
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題 名:
高功率密度射頻應用之氮化鎵高電子遷移率電晶體技術之研究:GaN HEMT for High Power Density of RF Applications
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
10 2014.01[民103.01]
- 頁 次:
頁234-242
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
27:2 2014.06[民103.06]
- 頁 次:
頁23-30
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題 名:
化學束磊晶系統成長氮化銦磊晶薄膜之製程研究:Investigation of InN Epilayer Grown on Ga-face GaN by RF-CBE
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
198 2014.03[民103.03]
- 頁 次:
頁20-37
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
376 2014.07[民103.07]
- 頁 次:
頁113-122