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ONO側壁與CESL對MOSFET通道應力影響之分析:The Effect of ONO Spacer and CESL on the Channel Stress of MOSFET Devices
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
25:3 2012.09[民101.09]
- 頁 次:
頁22-27
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
26:3 2012.09[民101.09]
- 頁 次:
頁117-122
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
118 2012.06[民101.06]
- 頁 次:
頁13-19
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
118 2012.06[民101.06]
- 頁 次:
頁27-32
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
120 2012.12[民101.12]
- 頁 次:
頁19-27
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
351 2012.06[民101.06]
- 頁 次:
頁75-88
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
351 2012.06[民101.06]
- 頁 次:
頁89-97