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題 名:
以氣態源分子束磊晶法成長之磷氮化銦中氮的嵌入行為之研究:The Incorporation Behavior of Nitrogen in Gas-Source MBE Grown □
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
3:2 2009.03[民98.03]
- 頁 次:
頁5-10
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
271 2009.07[民98.07]
- 頁 次:
頁128-133
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
15:5=166 2009.05[民98.05]
- 頁 次:
頁128-140
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
38:1(A) 2009.11[民98.11]
- 頁 次:
頁107-114
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
15:11=172 2009.11[民98.11]
- 頁 次:
頁76-90
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
15:11=172 2009.11[民98.11]
- 頁 次:
頁111-120
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12 2009.08[民98.08]
- 頁 次:
頁93-96
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
15:3=164 2009.03[民98.03]
- 頁 次:
頁97-105
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題 名:
氮化鎵高頻高功率元件之研究與應用:The Development of AlGaN/GaN HEMT Device for High Frequency High Power Application
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
5 2009.01[民98.01]
- 頁 次:
頁211-219
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
37:2 2009.04[民98.04]
- 頁 次:
頁155-165
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
270 2009.06[民98.06]
- 頁 次:
頁188-192