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離散摻雜擾動效應在次22奈米電晶體特性之研究:Random-Dopant-Induced Device Variability in Sub-22 nm Nano Field-Effect-Transistors
黃至鴻 李義明
奈米通訊
16:1 2009.03[民98.03]
頁8-17
TCI引用統計