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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
16:8=185 2008.08[民97.08]
- 頁 次:
頁166-180
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題 名:
以矽化鎳作為閘極金屬層用在奈米級CMOS元件之特性探討:Nano Devices Simulation on Si-FUSI Gate Stack
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
22 2008.06[民97.06]
- 頁 次:
頁227-230
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
14:4=153 2008.04[民97.04]
- 頁 次:
頁142-153