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題 名:
具有緩衝層之氮化矽覆蓋形變矽通道(Strained Si channel)互補式金氧半(CMOS)元件之特性影響與相關可靠度分析:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:9=146 2007.09[民96.09]
- 頁 次:
頁152-161
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
3:4 2007.12[民96.12]
- 頁 次:
頁69-76