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題 名:
矽鍺雙通道元件電洞侷限能力之探討:Hole Confinement in Double-Channel SiGe PMOSFET
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
20 2007.11[民96.11]
- 頁 次:
頁35-49
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題 名:
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
20 2007.11[民96.11]
- 頁 次:
頁51-65
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
69 2007.09[民96.09]
- 頁 次:
頁31-33
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
534 2007.06[民96.06]
- 頁 次:
頁38-41