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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
63 民95.05
- 頁 次:
頁54-56
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題 名:
以分子束磊晶法成長砷化銦量子點:Growth of InAs Quantum Dots by Molecular Beam Epitaxy
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
5 民95.05
- 頁 次:
頁17-23
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題 名:
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題 名:
載子阻礙層對氮砷化銦鎵雷射之影響:Numerical Analysis of InGaAsN Quantum-Well Lasers with Carrier-blocking Layer
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
95 民95.09
- 頁 次:
頁66-75
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題 名:
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題 名:
A Study of High-Quality InAs-Strained Bulk Layer Growth on GaAs by MOCVD:高品質砷化銦在砷化鎵基板上成長之研究
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2:3 民95.09
- 頁 次:
頁103-110
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
21 民95.12
- 頁 次:
頁55-66