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- 題 名:
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- 卷 期:
13:1 民95.02
- 頁 次:
頁49-54
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:3 民95.08
- 頁 次:
頁72-74
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
25:4=100 民95.11
- 頁 次:
頁69-76
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12:10=135 民95.10
- 頁 次:
頁207-213
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- 題 名:
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編 次:
1
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
87 民95.08
- 頁 次:
頁146-149
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
41:2 民95.12
- 頁 次:
頁83-92
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
63 民95.05
- 頁 次:
頁54-56
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題 名:
以分子束磊晶法成長砷化銦量子點:Growth of InAs Quantum Dots by Molecular Beam Epitaxy
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
5 民95.05
- 頁 次:
頁17-23
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
22:1=86 民95.03
- 頁 次:
頁120-126
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題 名:
載子阻礙層對氮砷化銦鎵雷射之影響:Numerical Analysis of InGaAsN Quantum-Well Lasers with Carrier-blocking Layer
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
95 民95.09
- 頁 次:
頁66-75
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題 名:
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題 名:
A Study of High-Quality InAs-Strained Bulk Layer Growth on GaAs by MOCVD:高品質砷化銦在砷化鎵基板上成長之研究
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2:3 民95.09
- 頁 次:
頁103-110
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
28:4 民95.08
- 頁 次:
頁717-722
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
169=406 民95.07
- 頁 次:
頁42-46
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
21 民95.12
- 頁 次:
頁55-66
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
14:3 民95.09
- 頁 次:
頁195-204
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題 名:
中藥材中重金屬檢驗(1):Survey on Heavy Metals in Raw Material of Traditional Chinese Medicine (1)
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
24 民95.12
- 頁 次:
頁228-241
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題 名:
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題 名:
中藥材及製劑中重金屬檢驗(2):Survey on Heavy Metals in Raw Material of Traditional Chinese Medicine (2)
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
24 民95.12
- 頁 次:
頁242-256
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題 名: