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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
10:5=106 2004.05[民93.05]
- 頁 次:
頁133-141
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
10:5=106 2004.05[民93.05]
- 頁 次:
頁142-150
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題 名:
Simulation with a Multi-MOS Model for Power Semiconductor Devices:多數金氧半導體模型用於高能元件之模擬
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18 2004.06[民93.06]
- 頁 次:
頁1-9
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
9 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁117-126
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
217 2004.04[民93.04]
- 頁 次:
頁193-201