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- 題 名:
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- 卷 期:
52:2=206 2004.06[民93.06]
- 頁 次:
頁58-68
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
39 2004.02[民93.02]
- 頁 次:
頁54-56
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
250 2004.06[民93.06]
- 頁 次:
頁104-105
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
255 2004.11[民93.11]
- 頁 次:
頁100-101
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
38 2004.01[民93.01]
- 頁 次:
頁8-10
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
253 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁96-97
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
252 2004.08[民93.08]
- 頁 次:
頁94-95
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
45 2004.08[民93.08]
- 頁 次:
頁6-11
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
251 2004.07[民93.07]
- 頁 次:
頁100-101
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題 名:
Simulation with a Multi-MOS Model for Power Semiconductor Devices:多數金氧半導體模型用於高能元件之模擬
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18 2004.06[民93.06]
- 頁 次:
頁1-9
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
5:2 2004.03[民93.03]
- 頁 次:
頁36-39
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
23 2004.03[民93.03]
- 頁 次:
頁1-14
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
23 2004.03[民93.03]
- 頁 次:
頁184-189
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- 題 名:
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- 書刊名:
- 卷 期:
334 2004.01[民93.01]
- 頁 次:
頁102-128