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題 名:
採用0.35微米矽鍺雙極互補金氧半導體製作之TD-SCDMA接收機射頻前端積體電路:A 0.35um SiGe BiCMOS RF Front-End IC for TD-SCDMA Receiver
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
102 2002.12[民91.12]
- 頁 次:
頁90-94
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題 名:
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題 名:
A 1-V 5.8-GHz Low Noise Amplifier in A 0.35-μm Standard CMOS Process:-0.35微米互補式金氧半1伏特、5.8兆赫低雜訊放大器
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
9:4 2002.11[民91.11]
- 頁 次:
頁395-400
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題 名: