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An Analysis of Optimistic Model Parameter Concerned about N-Type Shallow Implantation Depletion Layer Width on the Breakdown Voltage of a Schottky Barrier Diode Fabri-Cated on P-Type Substrate:N型淺離子佈植空乏層寬度對製造在P型基片之蕭基能障二極體崩潰電壓最佳模式參數之分析
黃亞麒 Huang, Ya-chi;
黃埔學報
43 2002.09[民91.09]
頁321-340
TCI引用統計
2
掃描電容顯微鏡技術在離子佈植製程上之應用:
張茂男 萬文武 賴建宏 陳志遠 潘扶民 梁正宏
奈米通訊
9:3 2002.08[民91.08]
頁11-18