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Effective Channel Length Shrinkage and Earlier Punch-Through Effect in As/B-Implanted n+/p+ Dual Ploy-Si Gate CMOS Devices:具對稱雙閘極的次微米互補金氧半場效電晶體中有效通道減縮與穿透崩潰提早之研究
陳啟文 吳明瑞 Chen, Chii-wen; Wu, Ming-ray;
明新學報
24 民89.06
頁307-313
TCI引用統計