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High-Breakdown Characteristics of the InAlAsSb/InGaAs/InP Heterostructure Field-Effect Transistor:砷銻化銦鋁/砷化銦鎵/磷化銦異質結構場效電晶體之高崩潰電壓特性
簡信裕 吳昌崙 許渭州 蘇建信 林蔚 Jain, Shin-yuh; Wu, Chang-luen; Hsu, Wei-chou; Su, Jan-shing; Lin, Wei;
吳鳳學報
6 1998.06[民87.06]
頁75-80
TCI引用統計