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題 名:
半導體元件可靠度簡介--熱載子效應:Semiconductor Device Reliability--Hot Carrier Effect
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
62 1997.09[民86.09]
- 頁 次:
頁53-58
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題 名:
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題 名:
Doping Properties of Pr[feaf]O[feb0]Associate InGaAs Epitaxy:三氧化二鐠在砷化鎵磊晶層中之參雜特性
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
25:2 1997.01[民86.01]
- 頁 次:
頁187-193
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題 名:
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2 1997.06[民86.06]
- 頁 次:
頁193-204