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以4x10[fee4] Dose/cm[feb4]矽離子佈植100 nm二氧化矽薄膜經100℃快速退火之光激發螢光研發:Photoluminescence of 1100℃ Rapid Thermal Annealing 4x10[fee4]Dose/cm[feb4]Silicon Implanted SiO[feaf]in 100nm Film
蔡震寰 張毅 高進興 曾昆福 張廷桓 廖志雄 Tsai, Jen-hwan; Chang, Yih; Kao, C. H.; Tseng, Kun-fu; Chang, Ting-huan; Liao, Ching-hsiung;
中正嶺學報
26:1 1997.07[民86.07]
頁35-45
TCI引用統計