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Enhanced Hot-Electron, Band-Filling, and Band-Tailing Photoluminescence from Heavily Sulfur-Doped GaAs Prepared by Liquid-Phase Epitaxy:禁帶能態、能帶填充及熱電子效應:高硫摻雜砷化鎵磊晶膜之光致發光譜特徵
江國成 Jiang, G. C.;
筧橋學報
3 1996.09[民85.09]
頁323-336
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