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Fluorine-induced Interface States in W-polycide MOS Devices with Nitrided Oxide Gate Dielectric:在具有氮氧化物介電層閘極的鎢複晶矽金氧半元件中由氟離子引起的介面能態之研究
陳啟文 Chen, C. W.;
明新學報
15 民84.12
頁57-62
TCI引用統計