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InGaAs PIN Photodiodes on Semi-Insulating InP Substrate with Bandwidth Exceeding 14 GHz:在半絕緣性磷化銦基板上研製頻寬大於14GHz之砷化銦鎵檢光二極體
戴廷安 莊榮敏 何文章 陳建光 施宏輝 林嘉堅 林蔚 涂元光
電信研究
25:2 1995.04[民84.04]
頁213-221
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