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Defects and Doping Effects in Cd Te and CuInS [feaf]by, Phosphorus Ion Implantation and Pulsed Electron Beam Annealing:碲化鎘與銅銦化二硫晶體中因磷離子佈植及脈衝電子束褪火所引起之缺陷之摻雜效應之研究
翁恆義 黃惠良
Proceedings of the National Science Council : Part A, Physical Science and Engineering
14:1 1990.01[民79.01]
頁1-10
TCI引用統計
2
以分子束磊晶法成長GaAs於Si晶片之特性研究:
陳錫銘 翁恒義 蘇炎坤
科儀新知
11:6=56 1990.05[民79.05]
頁74-87