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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18 1989.12[民78.12]
- 頁 次:
頁15-22
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18 1989.12[民78.12]
- 頁 次:
頁23-31
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
33 1989.09[民78.09]
- 頁 次:
頁41-50
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題 名:
Study of Hot Electron Transport in GaAs Based Quantum Well Devices:以砷化鎵為基底的量子井元件中電子傳導特性之研究
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
32:6 1989.12[民78.12]
- 頁 次:
頁437-443
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
3:2=26 1989.02[民78.02]
- 頁 次:
頁63-65
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題 名:
GaAs/AlGaAs Laser Arrays with and Without Proton Isolation:砷化鎵/ 砷化鋁鎵半導體雷射陣列之研製
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12:2 1989.03[民78.03]
- 頁 次:
頁255-261
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題 名:
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題 名:
Epitaxial Growth of GaAs and AlGaAs by MOCVD:用有機金屬氣相磊晶法成長砷化鎵和砷化鋁鎵
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
3:1 1989.03[民78.03]
- 頁 次:
頁15-19
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
3:1 1989.03[民78.03]
- 頁 次:
頁73-76