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題 名:
Interface-State Density and Noise Behavior of Gamma-Irradiated MOSFET'S:伽瑪射線照射之金氧半電晶體的介面狀態與雜訊變化
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12:6 1989.11[民78.11]
- 頁 次:
頁689-699
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題 名: