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Direct Indication of Interface Trap States in an MOS Capacitor from the Peaks of Optical Illumination-Induced Capacitances:由照光引起之電容峰值直接判斷金氧半電容器之界面陷阱
胡振國 王維新
中國工程學刊
10:4 1987.07[民76.07]
頁429-434
TCI引用統計