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Effects of N-Type Shallow Implantation on the Breakdown Voltage of a Schottky Barrier Diode Fabricated on P-Type Substrate:N型淺離子佈植對製造在P型基片上之蕭基能障二極體崩潰電壓之影響
黃亞麒
黃埔學報
18 1986.06[民75.06]
頁237-259
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