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Electrical and Optical Properties of High Purity Inp New Method Epilays Grown by L. P. E. and N[feb7]-N-N[feb7]Inp Gunn Microwave Devices Grown.:L. P. E.新法成長高純度磷化銦及其光電特性之研究, 並成長 N[feb7]-N-N[feb7]Inp Gunn微波元件
張垣孫
高雄工專學報
15 1985.12[民74.12]
頁497-540
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