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題 名:
A Study of High-Quality InAs-Strained Bulk Layer Growth on GaAs by MOCVD:高品質砷化銦在砷化鎵基板上成長之研究
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2:3 民95.09
- 頁 次:
頁103-110
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
21 民95.12
- 頁 次:
頁55-66
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
25:1 2018.03[民107.03]
- 頁 次:
頁9-16