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- 題 名:
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- 卷 期:
10:3 2003.08[民92.08]
- 頁 次:
頁20-24
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
9:2 2002.05[民91.05]
- 頁 次:
頁18-26
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
9:3 2002.08[民91.08]
- 頁 次:
頁24-32
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
11:2 2004.05[民93.05]
- 頁 次:
頁36-38
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12:4 民94.11
- 頁 次:
頁37-41
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題 名:
在具有超薄(EOT=1.6nm)氮化閘極氧化層之0.13μm n型金氧半電晶體中由熱電子所引發於閘極絕緣層內之電子捕獲現象:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
11:4 2004.11[民93.11]
- 頁 次:
頁6-10
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12:2 2005.05[民94.05]
- 頁 次:
頁23-27
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
16:3 2009.09[民98.09]
- 頁 次:
頁30-35
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:3 民95.08
- 頁 次:
頁14-18
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
24:3 2017.09[民106.09]
- 頁 次:
頁8-12