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S-Band and X-Band Monolithic Microwave Amplifier Design Using Pseudomorhic AlGaAs/In匃Ga0.85As High Electron Mobility Transistors (HEMTs):利用砷化鋁鎵/砷化銦鎵高速場效應電晶體設計S-頻帶及X-頻帶之微波積體放大器
顏天霖 詹益仁 吳家松 Gan, Tien-huat; Chan, Yi-jen; Wu, Chia-song;
Journal of the Chinese Institute of Electrical Engineering
2:4 1995.11[民84.11]
頁299-305
TCI引用統計
2
DC and Microwave Characteristics of Pseudomorphic AlGaAs/In Ga As HEMT's Fabricated by Deep-UV Lithography:利用紫外光源所製作之砷化鋁鎵/砷化銦鎵應力層高速場效電晶體之直流與高頻特性
吳家松 詹益仁 綦振瀛 陳鉅棟 莊添民 莊豐裕 張忠繼
1:1 1994.02[民83.02]
頁45-50