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The Correlation between the Characteristicsofa-Si:Hthin-Film Transistorand Physicalproperties of a-Sin戓:Hgatelayer withn[feaf]O-Plasmatreatment:探討非晶矽薄膜電晶體的特性與經N[feaf]O電漿處理後的非晶氮化矽薄膜性質之間的關係
陳盈安 林全益 蔡文欽 賴利弘 簡廷憲 洪志旺 Chen, Yen-ann; Lin, Chain-ye; Tsay, Wen-chin; Laih, Li-hong; Jen, Tean-sen; Hong, Jyh-wong;
Journal of the Chinese Institute of Electrical Engineering
4:2 1997.05[民86.05]
頁89-96
TCI引用統計
2
Plasma Deposited Amorphous Tungsten Nitride Diffusion Barrier for Metal-Organic Chemical Vapor Deposited Cu Metallization:金屬有機化學氣相沈積銅連線技術中之電漿沈積非晶型氮化鳴擴散護障層
Kim,Yong Tae; Lee,Chang Woo;
2:1 1995.02[民84.02]
頁7-11
3
Effect of Plasma Treatment of a-SiO[febb]N /a-SiN[febb]Gate Insulators on a-Si:H Thin-Film Transistor:經電漿處理的非晶氮氧化矽/氮化矽閘極絕緣層對非晶矽薄膜電晶體特性的影響
簡廷憲 呂學德 蔡文欽 陳盈安 洪志旺 張俊彥 Jen,Tean-sen; Leu,Shyue-ter; Tsay,Wen-chin; Chen,Yen-ann; Hong,Jyh-wong; Chang,Chun-yen;
頁19-24