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Growth and Investigation of Quaternary Ⅲ-Ⅲ-Ⅲ-Ⅴ InGaAlAs Alloy Layers on InP by Molecular Beam Epitaxy:分子束磊晶成長四元Ⅲ-Ⅲ-Ⅲ-Ⅴ族砷化鋁鎵銦合金層的長晶與研究
Feng,Z. C.; Chua,S. J.; Raman,A.; Williams,K. J.;
Journal of the Chinese Institute of Electrical Engineering
2:1 1995.02[民84.02]
頁69-73
TCI引用統計