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S-Band and X-Band Monolithic Microwave Amplifier Design Using Pseudomorhic AlGaAs/In匃Ga0.85As High Electron Mobility Transistors (HEMTs):利用砷化鋁鎵/砷化銦鎵高速場效應電晶體設計S-頻帶及X-頻帶之微波積體放大器
顏天霖 詹益仁 吳家松 Gan, Tien-huat; Chan, Yi-jen; Wu, Chia-song;
Journal of the Chinese Institute of Electrical Engineering
2:4 1995.11[民84.11]
頁299-305
TCI引用統計