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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:2 2023.10[民112.10]
- 頁 次:
頁11-18
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題 名:
Study of IGZO Thin Film Transistors with Al₂O₃ Gate Insulator:以三氧化二鋁為閘極絕緣層之銦鎵鋅氧薄膜電晶體之研究
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:1 2023.04[民112.04]
- 頁 次:
頁1-10
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題 名:
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:1 2023.04[民112.04]
- 頁 次:
頁53-68