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New Structure of Dual-material Gate Approach to Suppress Random-Dopant-Induced Characteristic Fluctuation in 16 NM Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor Devices:
Su, Hsin-wen; Cheng, Hui-wen; Li, Yiming;
International Journal of Electrical Engineering
18:6 2011.12[民100.12]
頁291-297
TCI引用統計