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Weak Localization and Electron-Electron Interaction Effects in Al₀.₁₅Ga₀.₈₅N/GaN High Electron Mobility Transistor Structures Grown on ρ-type Si Substrates:
Chen, Kuang Yao; Liang, C. T.; Chen, N. C.; Chang, P. H.; Chang, Chin-an;
Chinese Journal of Physics
45:6(1) 2007.12[民96.12]
頁616-621
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