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An InGaP/GaAs/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistor with Step-Emitter Structure:具有步階射極結構之磷化銦鎵/砷化鎵/砷化銦鎵異質接面雙極性電晶體
蔡榮輝 Tsai, Jung-hui;
高雄師大學報. 自然科學與科技類
21 民95.12
頁37-54
TCI引用統計