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題 名:
採用0.35微米矽鍺雙極互補金氧半導體製作之TD-SCDMA接收機射頻前端積體電路:A 0.35um SiGe BiCMOS RF Front-End IC for TD-SCDMA Receiver
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
102 2002.12[民91.12]
- 頁 次:
頁90-94
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題 名: