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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
88 2001.02[民90.02]
- 頁 次:
頁24-27
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
65 1997.04[民86.04]
- 頁 次:
頁22-23
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
104 2003.10[民92.10]
- 頁 次:
頁18-23
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
48 1994.08[民83.08]
- 頁 次:
頁23-25
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
34:6 1991.12[民80.12]
- 頁 次:
頁453-459
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
33:5 1990.10[民79.10]
- 頁 次:
頁315-326
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
33:6 1990.12[民79.12]
- 頁 次:
頁343-359
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題 名:
Study of Hot Electron Transport in GaAs Based Quantum Well Devices:以砷化鎵為基底的量子井元件中電子傳導特性之研究
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
32:6 1989.12[民78.12]
- 頁 次:
頁437-443
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題 名:
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題 名:
P-(Al, Ga) As/GaAs Modulation-Doped Heterostructuer:P-砷化鋁鎵∕砷化鎵調變摻雜異質結構
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
28:6 1985.12[民74.12]
- 頁 次:
頁34-46
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題 名:
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題 名:
AlGaAs/GaAs V-Groove Channeled Substrate Buried Heterostructure Laser Diodes:砷化鋁鎵/ 砷化鎵V 型凹槽雷射二極體
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
28:2 1985.04[民74.04]
- 頁 次:
頁30-41
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
52:4=240 民94.08
- 頁 次:
頁63-71
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
69:4 2011.12[民100.12]
- 頁 次:
頁357-368
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
95 2011.09[民100.09]
- 頁 次:
頁21-26
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
58:2=274 2011.04[民100.04]
- 頁 次:
頁44-53
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
67:4 2009.12[民98.12]
- 頁 次:
頁389-393
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
80 2009.03[民98.03]
- 頁 次:
頁8-14
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
80 2009.03[民98.03]
- 頁 次:
頁16-20
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
63 民95.05
- 頁 次:
頁54-56
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
21:3 1978.10[民67.10]
- 頁 次:
頁44-57