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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
49 1996.05[民85.05]
- 頁 次:
頁88-93
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題 名:
雙頻雙模多層低溫共燒陶瓷功率放大器模組:The MLC-LTCC Dual Band and Dual Mode Power Amplifier Modules
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
102 2002.12[民91.12]
- 頁 次:
頁77-82
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
34:6 1991.12[民80.12]
- 頁 次:
頁453-459
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
33:5 1990.10[民79.10]
- 頁 次:
頁315-326
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
33:6 1990.12[民79.12]
- 頁 次:
頁343-359
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12:3 2005.08[民94.08]
- 頁 次:
頁57-59
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:1 民95.02
- 頁 次:
頁49-54
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題 名:
Study of Hot Electron Transport in GaAs Based Quantum Well Devices:以砷化鎵為基底的量子井元件中電子傳導特性之研究
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
32:6 1989.12[民78.12]
- 頁 次:
頁437-443
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題 名:
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題 名:
P-(Al, Ga) As/GaAs Modulation-Doped Heterostructuer:P-砷化鋁鎵∕砷化鎵調變摻雜異質結構
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
28:6 1985.12[民74.12]
- 頁 次:
頁34-46
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題 名:
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題 名:
AlGaAs/GaAs V-Groove Channeled Substrate Buried Heterostructure Laser Diodes:砷化鋁鎵/ 砷化鎵V 型凹槽雷射二極體
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
28:2 1985.04[民74.04]
- 頁 次:
頁30-41
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
235 1971.11[民60.11]
- 頁 次:
頁47-56
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
19:1 2012.03[民101.03]
- 頁 次:
頁14-22
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題 名:
利用硫化鎘量子點製作高效率敏化的砷化鎵太陽能電池:High Efficiency of Hybrid GaAs Solar Cell Using CdS Quantum Dots
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
19:2 2012.06[民101.06]
- 頁 次:
頁19-23
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題 名:
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題 名:
應用於毫米波的三五族半導體元件:III-V Semiconductor Devices for Millimeter-wave Applications
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
23:4 2016.12[民105.12]
- 頁 次:
頁2-9
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
23:4 2016.12[民105.12]
- 頁 次:
頁10-14
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
23:3 2016.09[民105.09]
- 頁 次:
頁2-6
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題 名:
WiMAX射頻前端單晶片設計與實現:Design and Implementation of Single-chip RF Front-end for WiMAX Applications
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
138 2011.04[民100.04]
- 頁 次:
頁16-23
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18:1 2011.03[民100.03]
- 頁 次:
頁18-23
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題 名:
高速化合物半導體近期之發展與應用:The Development and Applications of High Speed Compound Semiconductor
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
16:4 2009.12[民98.12]
- 頁 次:
頁26-34
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:3 民95.08
- 頁 次:
頁72-74