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Analysis of Anomalous Current-Voltage Characteristics in Floating Body Fully Depleted SOI nMOSFETs with Parasitic BJT:附有寄生雙載子接面電晶體之浮體完全空乏式絕緣體上矽薄膜金氧半場效電晶體的不尋常電流電壓特性分析
楊炳章 劉紹宗
逢甲學報
28 1995.11[民84.11]
頁655-665
TCI引用統計