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題 名:
Simulation with a Multi-MOS Model for Power Semiconductor Devices:多數金氧半導體模型用於高能元件之模擬
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18 2004.06[民93.06]
- 頁 次:
頁1-9
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題 名:
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題 名:
針對金屬閘極TiN堆疊不同厚度之電性探討:Investigation on Electrical Properties of TiN Metal Gate in Different Thickness
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
29 2012.06[民101.06]
- 頁 次:
頁173-177
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
19 2005.06[民94.06]
- 頁 次:
頁135-140