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絕緣層上覆矽之矽鍺異質結構雙極性電晶體的氧化層厚度對元件性能影響之模擬研究:A Simulation Study of Oxide Thickness Effect on the Performance of SiGe HBTs with SOI Structure
廖淑慧 王維敬 張書通 林中一 Liao, Shu-hui; Wang, Wei-ching; Chang, Shu-tong; Lin, Chung-yi;
興大工程學刊
19:1 2008.03[民97.03]
頁1-8
TCI引用統計