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Photoreflectance Characterization of Strained (111)B InGaAs/GaAs Quantum Well p-i-n Diode Structures:光調制反射光譜術對受應力之(111)B砷化銦鎵/砷化鎵量子井p-i-n二極體結構之特性探討
陳堯輝 Chen, Y. H.;
臺北科技大學學報
31:1 1998.03[民87.03]
頁47-53
TCI引用統計